特許
J-GLOBAL ID：200903004088583680

多層配線構造の形成方法及び半導体装置の多層配線構造

発明者：
松本 明

松本 明 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-036149
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230317
出願日： 2000年02月15日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：
【要約】【課題】 接続抵抗及び寄生容量が小さく、微細化した多層配線構造を形成する方法を提供する。【解決手段】 多層配線構造の本形成方法は、下層配線16上に、SiN膜88、第1の絶縁膜90、エッチング停止層92、及び第2の絶縁膜94を成膜する工程と、SiN膜を露出させる接続孔98を開口する工程と、保護膜100を第2の絶縁膜上に成膜しつつ接続孔を埋め込む工程と、保護膜上にエッチングマスク102を形成する工程と、保護膜のエッチングレートが第2の絶縁膜より大きなエッチング条件で、保護膜をエッチングして第2の絶縁膜を露出させ、かつ接続孔内の保護膜の上面をエッチング停止層より上方に維持する工程と、保護膜のエッチングレートが第2の絶縁膜より小さいエッチング条件で、絶縁膜をエッチングして配線溝を形成すると共に下層配線を露出させるないように接続孔内に保護膜を残留させる工程と、エッチングマスク及び保護膜を除去し、かつ接続孔内の保護膜を除去する工程と、接続孔及び配線溝を金属で埋め込む工程とを備える。
請求項（抜粋）：
下層配線と、絶縁膜を介して下層配線上に形成された上層配線と、絶縁膜を貫通して下層配線と上層配線を接続する導体プラグとを備える多層配線構造の形成方法であって、下層配線上に、第1の絶縁膜、第2の絶縁膜のエッチングに対するエッチングストッパ、及び第2の絶縁膜を成膜する工程と、第2の絶縁膜、エッチングストッパ、及び第1の絶縁膜を貫通して、下層配線を露出させる接続孔を開口する工程と、保護膜を第2の絶縁膜上に成膜しつつ保護膜で接続孔を埋め込む工程と、上層配線の配線パターンを有するエッチングマスクを保護膜上に形成する工程と、保護膜のエッチングレートが第2の絶縁膜のエッチングレートより大きくなるエッチング条件で、エッチングマスク下の保護膜をエッチングして第2の絶縁膜を露出させると共に、接続孔内の保護膜の上面を第2の絶縁膜の上面より下方に位置させる保護膜エッチング工程と、保護膜のエッチングレートが第2の絶縁膜のエッチングレートと同じか、又は小さくなるエッチング条件で、下層配線が露出しないように保護膜を接続孔内に残留させながら、エッチングマスクの配線パターン開口から露出した第2の絶縁膜及び保護膜をエッチングして、上層配線の配線溝を形成する第2の絶縁膜エッチング工程と、第2の絶縁膜上のエッチングマスク及び保護膜を除去し、かつ接続孔内の保護膜を除去する工程と、接続孔及び配線溝を金属で埋め込む工程とを備えることを特徴とする多層配線構造の形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C
Fターム (46件)：
5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033XX01 ,  5F033XX15
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM