成膜装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-255051
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086174
出願日： 1993年09月16日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】被処理体にド-プされる不純物濃度の面間均一性を高めることのできる成膜装置を提供すること。【構成】 2重管構造の反応管2に第1のド-プ用ガス導入管71及び第2のド-プ用ガス導入管72を、第1のド-プ用ガス導入管71はそのガス流出口71aがウエハ群よりも下端位置に位置するように、第2のド-プ用ガス導入管72はそのガス流出口72aがウエハ群の上部に開口するように設ける。ここで第1のド-プ用ガス導入管71からは薄膜中のリン濃度を決定するように、また第2のド-プ用ガス導入管72からは反応管2の上方で不足したフォスフィンガスを補償するように、それぞれのガス導入管から供給されるフォスフィンガスの流量は制御されているので、薄膜中のリン濃度についてウエハの面間の均一性が高くなる。

請求項（抜粋）：

成膜ガス導入管及びドープ用ガス導入管を備え、一端側から他端側に処理ガスが通流する反応管内に、多数の被処理体を保持した保持具を搬入して被処理体に対して成膜処理を行う成膜装置において、流出口が被処理体の群よりも反応管の一端側に位置する第1のドープ用ガス導入管と、流出口が第1のドープ用ガス導入管の流出口よりも反応管の他端側に位置し、第1のドープ用ガス導入管よりのドープ用ガスの不足分を補償するためにドープ用ガスを供給する第2のドープ用ガス導入管と、を設けたことを特徴とする成膜装置。

引用特許：

審査官引用 (6件)

減圧気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-001942 出願人：日本電気株式会社
特開平4-326512
減圧CVD装置及び成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-208429 出願人：ソニー株式会社

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