特許

J-GLOBAL ID：200903047913633611

半導体装置

発明者： 長谷尾 英二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-013156
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203281
出願日： 1995年01月30日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】ワード線の電圧を電源電圧が一定値以下の場合に電源電圧以下に昇圧し、一定値を越える場合には電源電圧を出力することにより、電源電圧が高い場合やBTテスト時におけるワード線の劣化を抑え信頼性を確保する。【構成】電源電圧検出回路101と、昇圧回路102と、電源選択回路103とを備え電源電圧検出回路101の検出信号φ1により昇圧回路102を制御して、電源電圧値が一定値を超える場合はこの電源電圧値を出力し、電源電圧値が一定値以下の場合には昇圧した電圧を出力する。

請求項（抜粋）：

電源電圧値が所定の基準値以下のときに検出信号を活性化し前記所定の基準値を超えたときに前記検出信号を活性化しない電源電圧検出回路と、起動信号を受け前記電源電圧を昇圧する昇圧回路と、前記検出信号が活性化されたときは前記昇圧回路の出力電圧を出力し前記検出信号が活性化されないときは前記電源電圧を出力する電圧選択回路とから成る昇圧制御回路を備える半導体装置。

IPC (8件)：

G11C 11/413 ,  G11C 11/34 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/10 481

FI (5件)：

G11C 11/34 335 A ,  G11C 11/34 ,  H01L 27/04 G ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 27/10 441

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-212548   出願人：日本電気株式会社
• レベル検知回路及びこれを使用した昇圧電源発生回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-280918   出願人：松下電器産業株式会社, 松下電子工業株式会社
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-212545   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭63-150566