特許

J-GLOBAL ID：200903047970465806

キャパシター

発明者： 岩下 節也
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-062013
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260955
出願日： 1999年03月09日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 従来のチタン酸ジルコン酸鉛系強誘電体薄膜は、薄膜化が難しく、メモリー動作において低電圧化が困難であった。また、還元雰囲気に曝した後の特性はキャパシター形成後と比較して劣化し、電極材料を変えても十分とは言えない。【解決手段】 強誘電体薄膜5と上部電極6の間および前記強誘電体薄膜5と下部電極3の間に熱的および化学的に安定な材料からなる薄膜4を形成する。さらには、上部電極26および下部電極23で挟まれた強誘電体薄膜25の膜厚方向に該強誘電体薄膜と熱的および化学的に安定な材料からなる薄膜24を交互に積層する。

請求項（抜粋）：

強誘電体薄膜を上部電極および下部電極で挟んだ強誘電体メモリーのキャパシターにおいて、強誘電体薄膜と上部電極の間および前記強誘電体薄膜と下部電極の間それぞれに熱的および化学的に安定な材料からなる薄膜を形成したことを特徴とするキャパシター。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Fターム (22件)：

5F001AA17 ,  5F001AD33 ,  5F001AF05 ,  5F038AC02 ,  5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F083FR01 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22 ,  5F083PR25

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 強誘電体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-167860   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-283723   出願人：沖電気工業株式会社
• 強誘電体キャパシタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-253838   出願人：三星電子株式会社