特許
J-GLOBAL ID：200903048040310248
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-233180
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097503
出願日： 1994年09月28日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 チッ化ガリウム系化合物半導体を用いた青色発光に好適な半導体レーザにおいても、クラッド層による活性層への光の閉じ込め効果を充分に発揮するとともに、半導体層の直列抵抗を下げて低い動作電圧で動作し発光効率の高い半導体レーザを提供する。【構成】 活性層5と、該活性層よりバンドギャップエネルギーが大きく、かつ、屈折率が小さい材料からなるn型層およびp型層とを有し、前記活性層が前記n型層およびp型層により挟持されてなるダブルヘテロ接合構造の半導体レーザであって、前記n型層およびp型層はそれぞれ少なくとも2つの層からなり、該n型層およびp型層の前記活性層側に屈折率の小さい材料からなる低屈折率層4、6が設けられ、該n型層およびp型層の電流路の他の部分に前記低屈折率層より電気抵抗の小さい低抵抗層3、8が設けられている。
請求項（抜粋）：
活性層と、該活性層よりバンドギャップエネルギーが大きく、かつ、屈折率が小さい材料からなるn型層およびp型層とを有し、前記活性層が前記n型層およびp型層により挟持されてなるダブルヘテロ接合構造の半導体レーザであって、前記n型層およびp型層はそれぞれ少なくとも2つの層からなり、該n型層およびp型層の前記活性層側に屈折率の小さい材料からなる低屈折率層が設けられ、該n型層およびp型層の電流路の他の部分に前記低屈折率層より電気抵抗の小さい低抵抗層が設けられてなる半導体レーザ。
引用特許：
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