MOSトランジスタ

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-172760
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368214
出願日： 2001年06月07日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】ボディダイオードのリカバリ時間を短くするとともにリカバリ時のサージ電圧および発振を抑制することができるMOSトランジスタを提供する。【解決手段】半導体基板におけるnドリフト層の上にpベース領域5が形成され、このpベース領域5の表層部にnソース領域6が形成され、pベース領域5の一部領域とnソース領域6の一部領域に対しゲート絶縁膜8を介してゲート電極9が配置されるとともに、pベース領域5の一部領域とnソース領域6の一部領域がソース電極11に接する。pベース領域5の下のドリフト層(2,4)内に、窒素を含むクラスター含有層3が、その下にドリフト層(2)の一部を残した状態で埋設されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板における第1導電型のドリフト層の上に第2導電型のベース領域が形成され、このベース領域の表層部に第1導電型のソース領域が形成され、ベース領域の一部領域とソース領域の一部領域に対しゲート絶縁膜を介してゲート電極が配置されるとともに、ベース領域の一部領域とソース領域の一部領域がソース電極に接するMOSトランジスタであって、半導体基板における少なくともべース領域の下のドリフト層内に、窒素を含むクラスター含有層を、その下にドリフト層の一部を残した状態で埋設したことを特徴とするMOSトランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/78 653 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 652 H , H01L 29/78 652 N , H01L 29/78 652 P , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 658 H , H01L 29/78 658 A

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平3-259537
特開昭61-264751
特開平1-111340

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審査官引用 (6件)

特開平3-259537
特開昭61-264751
特開平1-111340

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