特許
J-GLOBAL ID：200903048218675377
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 栗原 彰
, 川又 澄雄
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-171095
公開番号（公開出願番号）：特開2005-011846
出願日： 2003年06月16日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：
【課題】耐圧とオン抵抗のトレードオフ関係を改善することができる半導体装置を提供する。【解決手段】ドレイン領域2である半導体基体上に、ソース領域4並びにソース領域4とは絶縁されたゲート電極6とが形成された絶縁ゲート駆動型の半導体装置において、ドレイン領域2に接するようにドレイン領域2とは反対導電型のベース領域9を有し、ベース領域9はゲート電極6と接続されており、少なくとも、ゲート電極6に所定の電位を印加したときに、ベース領域9からドレイン領域2に少数キャリアが導入される前に、ソース領域4とドレイン領域2との間を多数キャリアが流れることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ドレイン領域である半導体基体上に、ソース領域並びに前記ソース領域とは絶縁されたゲート電極とが形成された絶縁ゲート駆動型半導体装置において、
前記ドレイン領域に接するように前記ドレイン領域とは反対導電型のベース領域を有し、前記ベース領域は前記ゲート電極と接続されており、少なくとも、前記ゲート電極に所定の電位を印加したときに、前記ベース領域から前記ドレイン領域に少数キャリアが導入される前に、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間を多数キャリアが流れるべく構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (6件)：
H01L29/78 654B
, H01L29/78 652J
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 653A
, H01L21/28 301B
4M104AA01
, 4M104AA03
, 4M104AA04
, 4M104AA10
, 4M104BB01
, 4M104CC05
, 4M104FF31
, 4M104GG06
