保護トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-204272
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023159
出願日： 2001年07月05日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】保護トランジスタの静電破壊耐性を向上させる。【解決手段】半導体層のアクティブ領域10にソース/ドレインとなる第1導電型拡散層11およびゲート電極13下のチャネル形成領域となる第2導電型領域12を形成し、上記第1導電型拡散層のコンタクトホール配列領域にのみシリサイド層11Mを形成したMOSトランジスタからなる、半導体装置の静電気破壊防止のための保護トランジスタにおいて、上記アクティブ領域の端部領域10Eにおいてのゲート電極13と上記シリサイド層との間隔NLEを、上記アクティブ領域の中間領域(上記端部領域を除いた領域)においての上記間隔NLIよりも大きくする。

請求項（抜粋）：

半導体層のアクティブ領域にソース/ドレインとなる第1導電型拡散層およびゲート電極下のチャネル形成領域となる第2導電型領域を形成し、上記第1導電型拡散層のコンタクトホール配列領域にのみシリサイド層を形成したMOSトランジスタからなる、半導体装置の静電気破壊防止のための保護トランジスタにおいて、上記アクティブ領域の端部領域においてのゲート電極と上記シリサイド層との間隔を、上記アクティブ領域の中間領域(上記端部領域を除いた領域)においての上記間隔よりも大きくしたことを特徴とする保護トランジスタ。

IPC (10件)：

H01L 29/786 , H01L 21/822 , H01L 21/8234 , H01L 21/8238 , H01L 27/04 , H01L 27/06 311 , H01L 27/08 331 , H01L 27/088 , H01L 27/092 , H01L 29/78

FI (13件)：

H01L 27/06 311 C , H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 623 A , H01L 27/08 102 F , H01L 27/08 321 H , H01L 29/78 301 K , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 H , H01L 27/04 H , H01L 29/78 616 T , H01L 29/78 617 K , H01L 29/78 618 C

Fターム (50件)：

5F038AV06 , 5F038BH07 , 5F038BH13 , 5F038EZ06 , 5F038EZ20 , 5F048AA02 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB03 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BC01 , 5F048BC03 , 5F048BF06 , 5F048BG05 , 5F048CC02 , 5F048CC08 , 5F048CC18 , 5F048CC19 , 5F110AA22 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD24 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE24 , 5F110GG02 , 5F110GG23 , 5F110HK05 , 5F110HM04 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F140AA38 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BB01 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF51 , 5F140BJ08 , 5F140BJ25 , 5F140CB01 , 5F140CB02 , 5F140DA01

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-291953
保護素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-190150 出願人：日本電信電話株式会社
薄膜トランジスタおよびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-071103 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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