特許
J-GLOBAL ID：200903048351023153

半導体装置の電子顕微鏡による観察方法およびその装置

発明者：
キーンツル、オリバー

キーンツル、オリバー について

, 
キッペルマイヤー、ライナー

キッペルマイヤー、ライナー について

, 
ミュラー、インゴ

ミュラー、インゴ について


出願人/特許権者：
エルエーオー エレクトローネンミクロスコピー ゲーエムベーハー

エルエーオー エレクトローネンミクロスコピー ゲーエムベーハー について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-272354
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134374
出願日： 2003年07月09日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】アスペクト比の大きい構造をより高い自由度をもって観察することのできる半導体構造の観察方法及び電子顕微鏡システムを提供する。【解決手段】拡張対象物視野37内の半導体装置3から発せられる二次電子を位置検知機能を有する検出器35上で画像化するための電子顕微鏡光学部品27を設け、一次エネルギービーム51、53を出射するための照射装置55、59を設け、半導体装置3から二次電子を放出させるために一次エネルギービーム51、53を少なくとも対象物視野に向ける工程を含む。半導体装置3は、第1の材料11によって提供されるアスペクトの大きい、第2の材料13によって提供される底17を有する凹部とを備えている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体装置(3)の電子顕微鏡による観察方法であって、 拡張対象物視野(37)内の前記半導体装置(3)から発せられる二次電子を位置検知機能を有する検出器(35)上で画像化するための電子顕微鏡光学部品(27)を設け、 一次エネルギービーム(51、53)を出射するための照射装置(55、59)を設け、 前記半導体装置(3)から二次電子を放出させるために前記一次エネルギービーム(51、53)を少なくとも前記対象物視野(37)に向ける工程を含み、 前記半導体装置(3)は、第1の材料(11)によって提供される上面(15)と、1.5より大きいアスペクト比を有し、前記上面(15)によって囲まれ、第2の材料(13)によって提供される底(17)を有する凹部とを備えていることを特徴とする半導体装置の電子顕微鏡による観察方法。
IPC (4件)：
H01J37/244 ,  H01J37/05 ,  H01J37/29 ,  H01L21/66
FI (4件)：
H01J37/244 ,  H01J37/05 ,  H01J37/29 ,  H01L21/66 J
Fターム (18件)：
4M106AA01 ,  4M106AA12 ,  4M106AA13 ,  4M106AB20 ,  4M106BA02 ,  4M106BA05 ,  4M106CA39 ,  4M106DB05 ,  4M106DB08 ,  4M106DB11 ,  4M106DB20 ,  5C033AA03 ,  5C033AA05 ,  5C033NN01 ,  5C033NP01 ,  5C033NP04 ,  5C033NP05 ,  5C033NP06
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM