酸化亜鉛材料の育成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池田憲保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-171927
公開番号（公開出願番号）：特開2005-350297
出願日： 2004年06月09日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】溶液を用いて、転移、欠陥の少ない高品質のZnO単結晶薄膜/バルクを得ることは困難であった。【解決手段】特定の塩化物を含むフラックス中に、Zn源としてZnCl2を混合した溶液を使用して、育成を行なうことにより、高品質のZnO単結晶薄膜/バルクが得られた。この場合、特定の塩化物としては、アルカリ金属塩化物或いはアルカリ土類金属塩化物を用いることが好ましく、また、O源として、アルカリ金属酸化物或いはアルカリ金属の炭酸塩を使用することが望ましい。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛(ZnO)材料を溶液を用いて育成する育成方法において、ZnCl2をZn源として用意すると共に、予め定められた塩化物を含むフラックスを用意し、前記ZnCl2と前記フラックスとを混合した溶液中で、前記ZnO材料を育成することを特徴とする育成方法。

IPC (3件)：

C30B29/16 , C01G9/02 , C30B19/04

FI (3件)：

C30B29/16 , C01G9/02 B , C30B19/04

Fターム (22件)：

4G047AA02 , 4G047AB02 , 4G047AC03 , 4G047AD02 , 4G047AD03 , 4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BB07 , 4G077CG02 , 4G077CG07 , 4G077EA01 , 4G077EA04 , 4G077EA07 , 4G077EC08 , 4G077HA01 , 4G077HA02 , 4G077HA11 , 4G077QA04 , 4G077QA12 , 4G077QA26 , 4G077QA34 , 4G077QA38

引用特許：

出願人引用 (4件)

ZnO単結晶の育成炉と単結晶育成法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-294367 出願人：独立行政法人物質・材料研究機構
酸化亜鉛結晶膜の育成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-246953 出願人：住友電気工業株式会社
p型半導体結晶の製造方法および発光デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-088034 出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司

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