特許
J-GLOBAL ID：200903048425306799
半導体素子及び半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-298808
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125284
出願日： 1994年11月08日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 出力特性、信頼性、素子寿命等の素子特性の向上を図った、II-VI族化合物半導体を用いた半導体素子及びその製造方法を提供する。【構成】 1は、II-VI族化合物半導体を含む半導体素子であり、II-VI族化合物半導体層(p型ZnTe層)2と金属電極(Au)4との間に、VI族半導体層(Te層)3を形成することによって、よりエネルギー障壁の小さい低抵抗なオーミックコンタクトを得ている。VI族半導体層(Te層)3の形成には、II-VI族化合物半導体層2の表面を酸化させた後、この表面を酸又はアルカリに晒してII族原子を除去してVI族半導体層3を形成するので、一旦成長装置から出した時に形成される酸化膜を除去できる。
請求項（抜粋）：
II-VI族化合物半導体を有する半導体素子において、II-VI族化合物半導体層上に形成したVI族半導体層と、前記VI族半導体層上に形成した金属電極とを有することを特徴とする半導体素子。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, H01L 29/40
, H01L 29/417
, H01L 33/00
