特許
J-GLOBAL ID:200903048426606044
有機電子デバイスおよびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中村 智廣 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-055299
公開番号(公開出願番号):特開2003-258164
出願日: 2002年03月01日
公開日(公表日): 2003年09月12日
要約:
【要約】【課題】 大気による特性変動や劣化が改良された有機電子デバイスを、簡易かつ低コストで実現し得る有機電子デバイスおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】 有機電子材料からなる有機電子材料層13を有する有機電子デバイスであって、有機電子材料層13の少なくとも一部が、アルミナからなる封止膜14で封止されていることを特徴とする有機電子デバイス、および、封止膜14で封止される封止対象部位に対し、RFスパッタ装置によりアルミナ膜を着膜させることで封止膜14を形成することを特徴とする有機電子デバイスの製造方法である。
請求項(抜粋):
有機電子材料からなる有機電子材料層を有する有機電子デバイスであって、前記有機電子材料層の少なくとも一部が、アルミナからなる封止膜で封止されていることを特徴とする有機電子デバイス。
IPC (6件):
H01L 23/29
, H01L 21/316
, H01L 23/31
, H01L 29/06 601
, H01L 29/786
, H01L 51/00
FI (6件):
H01L 21/316 Y
, H01L 29/06 601 N
, H01L 23/30 D
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 619 A
, H01L 29/28
Fターム (24件):
4M109ED05
, 5F058BA20
, 5F058BB10
, 5F058BC03
, 5F058BF12
, 5F058BJ04
, 5F110AA14
, 5F110CC03
, 5F110EE08
, 5F110FF02
, 5F110GG05
, 5F110GG13
, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG42
, 5F110HK02
, 5F110HK04
, 5F110HK21
, 5F110NN14
, 5F110NN22
, 5F110NN28
, 5F110NN33
, 5F110NN34
引用特許:
審査官引用 (5件)
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薄膜フラーレンを含んでいるnチャネル電界効果型トランジスタ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-059209
出願人:エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
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特開昭60-167352
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絶縁膜形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-205490
出願人:日本真空技術株式会社
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成膜装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-272825
出願人:株式会社日立製作所
-
放射線センサ
公報種別:公表公報
出願番号:特願平10-508590
出願人:ブリティッシュニュークリアフュエルスピーエルシー
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