特許
J-GLOBAL ID：200903048494014791

電解メッキ方法

発明者：
前田 圭一

前田 圭一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-115686
公開番号（公開出願番号）：特開2000-309896
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】【課題】 電解メッキ法で用いる密着膜を除去することなくその表面に生成された金属酸化物を除去し、電解メッキ法による金属膜形成の際に、ボイド発生による埋め込み不良を生じることなく、良好なる金属膜のメッキ方法を提供し、信頼性の高い金属配線の形成を可能にする。【解決手段】 電解メッキ法により下地金属(密着膜15)上に金属膜17を形成する工程を備えた電解メッキ方法において、電解メッキを行う前に下地金属の表面に形成された金属酸化物16のみを除去する前処理工程を備えた方法であり、金属酸化物16のみを除去する前処理薬液には、塩酸またはカルボキシル基を含む薬液としてシュウ酸もしくはクエン酸もしくはシュウ酸とクエン酸とを含む液を用いる。
請求項（抜粋）：
電解メッキ法により下地金属上に金属膜を形成する工程を備えた電解メッキ方法において、電解メッキを行う前に前記下地金属の表面に形成された金属酸化物のみを除去する前処理工程を備えたことを特徴とする電解メッキ方法。
IPC (6件)：
C25D 5/34 ,  C23F 1/10 ,  C25D 3/38 101 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205
FI (7件)：
C25D 5/34 ,  C23F 1/10 ,  C25D 3/38 101 ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/306 F ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/88 B
Fターム (57件)：
4K023AA19 ,  4K023BA06 ,  4K023CA01 ,  4K024AA09 ,  4K024AB08 ,  4K024BA09 ,  4K024BB12 ,  4K024DA07 ,  4K024GA16 ,  4K057WA01 ,  4K057WB04 ,  4K057WB11 ,  4K057WB15 ,  4K057WE08 ,  4K057WE13 ,  4K057WE14 ,  4K057WG02 ,  4K057WG03 ,  4K057WG10 ,  4K057WK01 ,  4K057WK06 ,  4K057WM04 ,  4K057WM18 ,  4K057WN01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104DD23 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD52 ,  4M104FF16 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH20 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F043AA22 ,  5F043BB15 ,  5F043DD04 ,  5F043DD12 ,  5F043DD13 ,  5F043EE03 ,  5F043EE27 ,  5F043EE36 ,  5F043FF01 ,  5F043GG02
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-182635   出願人：株式会社東芝
  • 特開平3-105993
  • Cu/W基材のめっき処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-299842   出願人：株式会社住友金属エレクトロデバイス
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