単一電子素子およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-072827
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274298
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】高温動作と集積化とを両立し得る単一電子素子およびその製造方法を提供すること。【構成】ピラミッド状の半導体ファセットの頂上部に形成された微小領域と、この微小領域に隣接して形成されたバリア層とを有して単一電子素子を構成した。

請求項（抜粋）：

ピラミッド状の半導体ファセットの頂上部に形成された微小領域と該微小領域に隣接して形成されたバリア層とを有することを特徴とする単一電子素子。

IPC (6件)：

H01L 29/66 , H01L 27/10 451 , H01L 29/06 , H01L 29/78 , H01L 29/80 , H01L 49/00

FI (6件)：

H01L 29/66 , H01L 27/10 451 , H01L 29/06 , H01L 49/00 Z , H01L 29/78 301 J , H01L 29/80 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

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