特許
J-GLOBAL ID：200903048539628788

水素ガス分離材製造方法

発明者：
吉野 泰

吉野 泰 について


出願人/特許権者：
株式会社ノリタケカンパニーリミテド

株式会社ノリタケカンパニーリミテド について


代理人 (3件)： 安部 誠 ,  大井 道子 ,  手島 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-088049
公開番号（公開出願番号）：特開2008-246299
出願日： 2007年03月29日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：
【課題】性能バランスのよい水素ガス分離材を安定して製造することのできる水素ガス分離材製造方法を提供すること。【解決手段】多孔質基材12にシリカ膜4を形成して水素ガス分離材1を製造する方法が提供される。その方法は、多孔質基材12を用意する基材準備工程と、該基材12の一方の面側12Aに供給されるシリカ源と他方の面側12Bに供給される酸素含有ガスとを反応させる化学蒸着法によって基材12上にシリカ膜4を形成する蒸着工程とを包含する。上記蒸着工程は、分子内にSi-Z-Si結合(ここで、ZはOまたはNである。)を有するケイ素化合物(a)をシリカ源に用いて行う。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
多孔質基材にシリカ膜を形成して水素ガス分離材を製造する方法であって: 前記多孔質基材を用意する基材準備工程;および、 前記基材の一方の面側に供給されるシリカ源と該基材の他方の面側に供給される酸素含有ガスとを反応させる化学蒸着法によって該基材上にシリカ膜を形成する蒸着工程; を包含し、 ここで、前記蒸着工程は、分子内にSi-Z-Si結合(ここで、ZはOまたはNである。)を有するケイ素化合物(a)をシリカ源に用いて行う、水素ガス分離材製造方法。
IPC (5件)：
B01D 71/02 ,  B01D 69/10 ,  B01D 69/12 ,  H01M 8/06 ,  C01B 3/56
FI (5件)：
B01D71/02 500 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  H01M8/06 R ,  C01B3/56 Z
Fターム (19件)：
4D006GA41 ,  4D006MA08 ,  4D006MA09 ,  4D006MA22 ,  4D006MA24 ,  4D006MA31 ,  4D006MB03 ,  4D006MB04 ,  4D006MC03X ,  4D006NA31 ,  4D006NA46 ,  4D006PB18 ,  4D006PB66 ,  4D006PC80 ,  4G140FA06 ,  4G140FC02 ,  4G140FE01 ,  5H027AA02 ,  5H027BA01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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