特許
J-GLOBAL ID：200903048579549511

ゲルマニウム層を形成する方法

発明者：
セイフェルト、ウェルナー

セイフェルト、ウェルナー について


出願人/特許権者：
ビーティージー・インターナショナル・リミテッド

ビーティージー・インターナショナル・リミテッド について


代理人 (1件)： 井上 義雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-587677
公開番号（公開出願番号）：特表2004-531889
出願日： 2002年04月30日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
シリコン基板上にきわめて広いゲルマニウム層を形成する方法であって、シリコン基板上にゲルマニウムの初期層を形成し、その際に格子の不整合によって丸いS-K隆起が形成される。酸化によって諸隆起間に二酸化シリコンを形成し、それに続く還元ステップによって隆起の頂上を露出させる。頂上部はほとんど完全に解放されて歪みが存在しないので、これらの頂上部は続いて行われるゲルマニウムの最終層の成長の核形成サイトとなり、ゲルマニウムの最終層は核形成サイトからそれぞれ延在する単結晶として形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
所望の物質の層を形成する方法であって、前記方法は、 a)前記所望の物質とは異なる格子定数を有するシリコン基板を準備し、前記所望の物質を前記基板上に丸形の複数の隆起が生成されるように堆積することと、 b)前記隆起の間の領域を非結晶物質で満たすことと、 c)前記丸形の複数の隆起を成長サイトとして前記所望の物質を再び堆積させ、前記物質の層を形成することと、 を含むことを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L21/205 ,  C30B25/18 ,  C30B29/08
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C30B25/18 ,  C30B29/08
Fターム (20件)：
4G077AA03 ,  4G077BA05 ,  4G077DB04 ,  4G077ED02 ,  4G077ED06 ,  4G077EE05 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4G077TK13 ,  5F045AA03 ,  5F045AB05 ,  5F045AC01 ,  5F045AD10 ,  5F045AE07 ,  5F045AF03 ,  5F045BB01 ,  5F045DA52
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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