特許
J-GLOBAL ID：200903048589473912

半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法

発明者：
中山 喜明

中山 喜明 について

, 
三浦 昭二

三浦 昭二 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-183522
公開番号（公開出願番号）：特開平10-083986
出願日： 1997年07月09日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】 フォトリソグラフィ処理でサイドリンス処理を行う場合でも、トレンチエッチング時にブラックシリコンが発生しないようにする。【解決手段】 貼り合せSOIウエハ11の第1および第2のシリコンウエハ12および14間に介在される埋め込み酸化膜13において、その外周部がエッチング防止用酸化膜13aとして機能すべくその膜厚を所定厚さ寸法Dsio 以上となるようにして形成しておく。トレンチエッチングのマスク用酸化膜15に開口部15aを形成する際のレジスト塗布工程においてサイドリンス処理を実施すると、開口部15a形成時に外周部の酸化膜15もエッチングされる。そのオーバエッチングにより酸化膜13aが膜厚d1エッチングされる。トレンチエッチング時にも酸化膜13aが膜厚d2だけエッチングされる。そこで、エッチング防止用酸化膜13aの膜厚Dsio の寸法を上記膜厚d1+d2以上となるように設定すれば、最終段階で酸化膜13aが残存するのでブラックシリコンの発生を防止できる。
請求項（抜粋）：
ドライエッチングにより深溝あるいは深孔が形成される半導体ウエハであって、前記ドライエッチングの間、前記深溝あるいは深孔の形成領域以外の領域において半導体領域が露出するのを防止されたことを特徴とする半導体ウエハ。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/12
FI (4件)：
H01L 21/302 J ,  H01L 27/12 B ,  H01L 21/76 L ,  H01L 27/04 C
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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