特許

J-GLOBAL ID：200903048591507174

第13族金属窒化物結晶の製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法

発明者： 有田 陽二 ,  関 義則 ,  竹内 佐千江 ,  寺田 秀
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-196553
公開番号（公開出願番号）：特開2008-024535
出願日： 2006年07月19日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：

【課題】常圧付近の比較的低い圧力で、良質の第13族金属窒化物結晶を工業的に安価に製造する。【解決手段】周期表第13族の金属元素を含む融液中に、周期表第13族の金属元素と周期表第13族以外の金属元素との複合窒化物を含む原料、及びシードを配置し、少なくとも融液の一部を強制的に流動させることによりシードの表面に第13族金属窒化物結晶を成長させる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

周期表第13族の金属元素を含む融液中に、周期表第13族の金属元素と周期表第13族以外の金属元素とを含む複合窒化物を含有する原料、及びシードを配置し、少なくとも融液の一部を強制的に流動させることによりシードの表面に第13族金属窒化物結晶を成長させることを特徴とする第13族金属窒化物結晶の製造方法。

IPC (1件)：

C30B 29/38

FI (1件)：

C30B29/38 D

Fターム (15件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CG02 ,  4G077EC07 ,  4G077EG21 ,  4G077EG25 ,  4G077EJ01 ,  4G077EJ02 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077QA04 ,  4G077QA21 ,  4G077QA26 ,  4G077QA56 ,  4G077RA03

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 13族窒化物結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-271993   出願人：三菱化学株式会社, 吉村昌弘
• 中国特許公開第1288079A号公報
  
• III族窒化物の結晶成長方法およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-074210   出願人：株式会社リコー

審査官引用 (4件)

• III族窒化物の結晶成長方法およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-074210   出願人：株式会社リコー
• 周期表第13族金属窒化物結晶の製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-194719   出願人：三菱化学株式会社
• 周期表第13族金属窒化物結晶の製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-090938   出願人：三菱化学株式会社
• 特表平5-502007