特許
J-GLOBAL ID：200903068966779577

III族窒化物の結晶成長方法およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス

発明者：
岩田 浩和

岩田 浩和 について

, 
皿山 正二

皿山 正二 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-074210
公開番号（公開出願番号）：特開2005-263511
出願日： 2004年03月16日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】 融液中の窒素の溶解度を増加させ、成長速度を速くして、高品質なIII族窒化物結晶を作製することの可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。【解決手段】 少なくともアルカリ金属とIII族金属と窒素が溶解した融液からIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物の結晶成長方法において、アルカリ金属を含む融液22中に、アルカリ金属とIII族金属と窒素とを含む化合物を溶解して、III族窒化物23を結晶成長させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくともアルカリ金属とIII族金属と窒素が溶解した融液からIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物の結晶成長方法において、アルカリ金属を含む融液中に、アルカリ金属とIII族金属と窒素とを含む化合物を溶解して、III族窒化物を結晶成長させることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。
IPC (1件)：
C30B29/38
FI (1件)：
C30B29/38 D
Fターム (6件)：
4G077AA01 ,  4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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