荷電粒子線によるパターン転写方法及び転写装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：永井冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-144404
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074064
出願日： 1996年06月06日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】パターンのつなぎ部分での転写誤差を抑えることが可能な荷電粒子線による転写方法を提供する。【解決手段】マスク100の複数の小領域100aに順次荷電粒子線を照射して各小領域100aのパターンに相関した変化を荷電粒子線に生じさせる走査処理と、マスク100の各小領域100aを通過した荷電粒子線の少なくとも一部を、感応基板110上に相互に連続させて設定された複数の被転写領域110bのうちで各小領域100aにそれぞれ対応した被転写領域110bへ導く投影処理とを行なう方法において、走査処理に同期して、複数の小領域100a内のそれぞれの周辺部に対する荷電粒子線の照射量を各小領域100aの外側ほど減少させる照射量低減処理を実施する。感応基板110上で相互に隣接する一対の被転写領域110bのうち荷電粒子線の入射量が減少する領域を相互に重ね合わせる。

請求項（抜粋）：

マスク上の複数の小領域に順次荷電粒子線を照射して、各小領域に設けられたパターンに相関した変化を荷電粒子線に生じさせる走査処理と、前記マスクの各小領域を通過した荷電粒子線の少なくとも一部を、感応基板上に相互に連続させて設定された複数の被転写領域のうちで各小領域にそれぞれ対応した被転写領域へ導く投影処理とを有するパターン転写方法において、前記走査処理に同期して、前記複数の小領域内のそれぞれの周辺部に対する荷電粒子線の照射量を各小領域の中心から離れるほど漸次減少させる照射量低減処理を実施し、前記感応基板上で相互に隣接する一対の被転写領域のうち、前記照射量低減処理によって荷電粒子線の入射量が減少する領域の少なくとも一部が相互に重なるように前記マスクの前記小領域と前記感応基板の被転写領域とを対応させるように走査することを特徴とする荷電粒子線によるパターン転写方法。

FI (3件)：

H01L 21/30 541 J , H01L 21/30 541 D , H01L 21/30 541 B

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭54-105971
特開昭62-176127
荷電粒子線露光方法および荷電粒子線露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-205262 出願人：株式会社ニコン

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