特許
J-GLOBAL ID：200903048642601863
インバータ装置とこれを用いたモータ駆動装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-282141
公開番号（公開出願番号）：特開2004-120917
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】本発明の目的は、ホトカプラを用いずに、信頼性が高い昇圧レベルシフト回路を備えたインバータ装置を提供すること。【解決手段】本発明のインバータ装置は、上アーム駆動回路と電流検出回路とを含む第1の半導体チップと、下アーム駆動回路と駆動信号処理回路とを含む第2の半導体チップと、前記レベルシフト回路用高耐圧MOSFETを含む第3の半導体チップとを有し、第1および第2の半導体チップをSOI基板に形成し、これらのチップを絶縁基板上に配置して樹脂モールドし、半導体電力スイッチング素子を個別部品にした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
主端子間に上アーム半導体電力スイッチング素子と下アーム半導体電力スイッチング素子とを直列接続したアームと、該アームの駆動回路とを備えたインバータ装置において、
該インバータ装置が1つあるいは複数のアームを備え、
前記1アーム分の駆動回路が、圧側回路から高圧側回路に制御信号を伝達する昇圧レベルシフト回路と、上アーム駆動回路と、下アーム駆動回路と駆動信号処理回路とを備え、
該昇圧レベルシフト回路が電流検出回路と高耐圧MOSFETとを備えており、
上アーム駆動回路と電流検出回路とを含む第1の半導体チップと、下アーム駆動回路と駆動信号処理回路とを含む第2の半導体チップと、前記レベルシフト回路用高耐圧MOSFETを含む第3の半導体チップとを備えることを特徴とするインバータ装置。
IPC (3件)：
H02M7/5387
, H02M1/08
, H02M7/48
H02M7/5387 Z
, H02M1/08 C
, H02M7/48 Z
5H007AA06
, 5H007CA01
, 5H007CB05
, 5H007DB03
, 5H007DC02
, 5H007HA03
, 5H007HA04
, 5H740BA11
, 5H740BB05
, 5H740HH05
, 5H740MM11
, 5H740PP02
, 5H740PP03
