半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-233831
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068597
出願日： 1998年08月20日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザにおいて、高濃度p型InGaAsコンタクト層、もしくは高濃度p型InP基板から、不純物元素であるZnが活性層近傍まで拡散することによる素子の劣化を防ぎ、信頼性の優れた半導体レーザ素子を製造する。【解決手段】高濃度p型InGaAsコンタクト層、もしくは高濃度p型InP基板とp型InPクラッド層の間に、超格子中間層を形成する。この超格子中間層は、InAsとGaAs、もしくはInAsとGaPの超格子からなっており、これを形成する2種類の半導体層のうち、一方のみにp型不純物元素が変調ドーピングされている。【効果】本発明によれば、p型コンタクト層もしくはp型基板から活性層近傍へのZnの拡散を抑制でき、素子特性の劣化の少ない信頼性の優れた半導体レーザ素子が作製可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたpn接合を有する半導体多層構造からなる半導体装置において、キャリア濃度1×1018cm-3以上のp型半導体層もしくはp型基板と、これに隣接するキャリア濃度1×1018cm-3以下のp型半導体層との間に、半導体超格子層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01S 5/30 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 B

Fターム (14件)：

5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA37 , 5F041CA39 , 5F073AA13 , 5F073AA71 , 5F073AA74 , 5F073CA12 , 5F073CB19 , 5F073EA28 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-287770 出願人：富士通株式会社
特開昭63-284808
発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-060305 出願人：株式会社日立製作所

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