特許
J-GLOBAL ID：200903048684131166

半導体装置及びその製造方法

発明者：
ジェイコブ、シー.フッカー

ジェイコブ、シー.フッカー について

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ロバート、ランダー

ロバート、ランダー について

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ロベルトゥス、アー.エム.ウォルタース

ロベルトゥス、アー.エム.ウォルタース について


出願人/特許権者：
コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ

コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-529060
公開番号（公開出願番号）：特表2008-511149
出願日： 2005年08月10日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：
本発明は、それぞれ金属及びさらなる元素の両方を含む化合物の第1及び第2の導電材料を有するゲート領域(1D,2D)を持つNMOST1及びPMOST2を備えるCMOS装置(10)に関する。本発明によれば第1及び第2の導電材料は共に前記金属としてモリブデンとタングステンとを含む群から選択される金属を含む化合物を有し、前記第1の導電材料は前記さらなる元素として酸素を有し、前記第2の導電材料は前記さらなる元素としてカルコゲナイドを有する。本発明はこのような装置の魅力的な製造方法を提供する。
請求項（抜粋）：
基板と、 第1のソース及びドレイン領域、第1の導電型の第1のチャネル、第1の絶縁領域により前記第1のチャネルから分離され第1の導電材料を含む第1のゲート領域を有する第1の電界効果トランジスタと、第2のソース及びドレイン領域、前記第1の導電型と逆の第2の導電型の第2のチャネル、第2の絶縁領域により前記第2のチャネルから分離され前記第1の導電材料と異なる第2の導電材料を含む第2のゲート領域を有する第2の電界効果トランジスタと、を有する半導体ボディと、 を備え、 前記第1及び第2の導電材料は金属とさらなる元素との両方を含む化合物を有し、前記第1及び第2の導電材料は共に前記金属としてモリブデンとタングステンとを含む群から選択される金属を含む化合物を有し、前記第2の導電材料は前記さらなる元素として酸素を有し、前記第1の導電材料は前記さらなる元素としてカルコゲナイドを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49
FI (4件)：
H01L27/08 321D ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/48 F ,  H01L29/58 G
Fターム (41件)：
4M104AA01 ,  4M104BB16 ,  4M104BB38 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD55 ,  4M104DD79 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB13 ,  5F048BB15 ,  5F048BG13 ,  5F048BG14 ,  5F048DA23 ,  5F140AA40 ,  5F140BA01 ,  5F140BD05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF10 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF24 ,  5F140BG08 ,  5F140BG27 ,  5F140BG32 ,  5F140BG33 ,  5F140BG56 ,  5F140BH14 ,  5F140BK02 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08
引用特許：
審査官引用 (5件)
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