特許
J-GLOBAL ID：200903048689652377

半導体モジュール及びインバータ装置

発明者：
青木 一雄

青木 一雄 について

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鶴岡 純司

鶴岡 純司 について

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安井 誠二

安井 誠二 について


出願人/特許権者：
アイシン・エィ・ダブリュ株式会社

アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 について


代理人 (3件)： 北村 修一郎 ,  東 邦彦 ,  三宅 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-135681
公開番号（公開出願番号）：特開2008-294067
出願日： 2007年05月22日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：
【課題】複数の基板のそれぞれのスイッチング素子とダイオード素子とが冷媒の流れ方向に直列に配置される構成に関して、全ての基板のスイッチング素子を適切に冷却することができる構成を備えた半導体モジュールを提供する。【解決手段】冷媒流路7内に所定方向の平行な冷媒の流れを形成する平行流形成手段8を備え、各基板3は、スイッチング素子4とダイオード素子5とが冷媒の流れ方向Dに直列に配置されるとともに、スイッチング素子4と接続端子領域6とが冷媒の流れ方向Dに対する直交方向Cに位置を異ならせて配置され、一対の基板3が冷媒の流れ方向Dに直列に配置されるとともに、一方の基板3では直交方向Cの一方側にスイッチング素子4が配置され、他方の基板3では直交方向Cの一方側に接続端子領域6が配置される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ベースプレートと、 該ベースプレートの一方の面に載置され、スイッチング素子、ダイオード素子、及び接続端子領域をそれぞれ備えた複数の基板と、 前記ベースプレートの他方の面に接するように設けられた冷媒流路と、 を備えた半導体モジュールであって、 前記冷媒流路内に所定方向の平行な冷媒の流れを形成する平行流形成手段を備え、 前記各基板は、前記スイッチング素子と前記ダイオード素子とが前記冷媒の流れ方向に直列に配置されるとともに、前記スイッチング素子と前記接続端子領域とが前記冷媒の流れ方向に対する直交方向に位置を異ならせて配置され、 前記複数の基板を構成する一対の基板が前記冷媒の流れ方向に直列に配置されるとともに、一方の基板では前記直交方向の一方側に前記スイッチング素子が配置され、他方の基板では前記直交方向の一方側に前記接続端子領域が配置されている半導体モジュール。
IPC (4件)：
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/473 ,  H02M 7/48
FI (3件)：
H01L25/04 C ,  H01L23/46 Z ,  H02M7/48 Z
Fターム (18件)：
5F136BA04 ,  5F136BB01 ,  5F136CB07 ,  5F136CB28 ,  5F136DA08 ,  5F136DA43 ,  5F136EA03 ,  5F136GA17 ,  5F136HA01 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007CC03 ,  5H007DC08 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04 ,  5H007HA06 ,  5H007HA07
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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