特許
J-GLOBAL ID:200903048689857734

発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-212028
公開番号(公開出願番号):特開2005-129896
出願日: 2004年07月20日
公開日(公表日): 2005年05月19日
要約:
【課題】 発光素子を提供する。【解決手段】 一つ以上の曲面状突出部を含む基板を有する発光素子を提供することによって、半導体結晶層の成長及び発光素子の完成された形態においても均一の欠陥密度の制御及びストレス分布の制御が容易な基板及びこれを採用した発光素子を提供できる。また、発光層で発生した光の発光素子外部への抽出効率を高められる。【選択図】 図3C
請求項(抜粋):
基板及び前記基板上に活性層を含む半導体結晶層及び電極が形成されている発光素子において、 前記基板は、一つ以上の曲面状突出部を含み、前記曲面状突出部表面の結晶方位はその上部に形成されるIII族窒化物系化合物半導体の成長方位と相異なることを特徴とする発光素子。
IPC (1件):
H01L33/00
FI (1件):
H01L33/00 C
Fターム (4件):
5F041AA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)
  • 半導体発光素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-081447   出願人:三菱電線工業株式会社
  • 半導体基材及びその作製方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-068067   出願人:三菱電線工業株式会社
  • 半導体発光素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-213490   出願人:日亜化学工業株式会社

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