特許
J-GLOBAL ID:200903048711369234

半導体ウエハ及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山口 義雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-147628
公開番号(公開出願番号):特開2009-295768
出願日: 2008年06月05日
公開日(公表日): 2009年12月17日
要約:
【課題】搬送中に脱落することを防止できるようにすること。【解決手段】半導体ウエハWの外縁側の厚みが、それ以外の領域の厚みより相対的に大きくなるように形成することで半導体ウエハWの面内に凹部W1が形成されている。凹部W1は、底面W1aと、当該底面W1aから延びる内側起立面W1bとを含み、この内側起立面W1bは、少なくとも第1径部D1と、当該第1径部D1よりも開口面F1側に位置するとともに第1径部D1よりも縮径された第2径部D2とからなる突出部Cを有している。【選択図】図1
請求項(抜粋):
外縁側の厚みをそれ以外の領域の厚みより大きくすることで凹部が形成された半導体ウエハにおいて、 前記凹部は、底面と、当該底面から延びる内側起立面とを含み、この内側起立面は、少なくとも第1径部と、当該第1径部よりも開口面側に位置するとともに第1径部よりも縮径された第2径部とからなる突出部を有することを特徴とする半導体ウエハ。
IPC (3件):
H01L 21/02 ,  H01L 21/304 ,  B24B 1/00
FI (3件):
H01L21/02 B ,  H01L21/304 601B ,  B24B1/00 A
Fターム (9件):
3C049AA03 ,  3C049AA09 ,  3C049AA13 ,  3C049AA14 ,  3C049AB03 ,  3C049CA02 ,  3C049CA05 ,  3C049CB02 ,  3C049CB06
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)

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