半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-030094
公開番号（公開出願番号）：特開平10-228768
出願日： 1997年02月14日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】電源投入直後における消費電流を低減する。【解決手段】初期化回路(20)は電源投入に応答してセルフリフレッシュ制御信号発生回路(30)を活性化する。電源投入後セルフリフレッシュモードに半導体記憶装置が入り、外部ロウアドレスストローブ信号/RASの論理状態にかかわらず、電源投入後RAS系制御回路(10b)は初期状態にあり、消費電流は、スタンバイ電流程度とすることができる。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルを有する半導体記憶装置であって、タイマを含み、活性化時前記タイマの出力信号に従って前記複数のメモリセルの記憶データを所定の時間間隔でリフレッシュするための制御信号を発生するセルフリフレッシュ制御回路、および外部からの電源電圧の前記半導体記憶装置への投入に応答して、前記セルフリフレッシュ制御回路を活性化する初期化回路を備える、半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-107396
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-192613 出願人：三菱電機株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-276189 出願人：日本電気株式会社

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