特許
J-GLOBAL ID：200903048729619750
半導体薄膜の製造方法、半導体装置の製造方法、半導体装置、集積回路、電気光学装置及び電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
稲葉 良幸
, 田中 克郎
, 大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-369241
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200538
出願日： 2002年12月20日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
【課題】微細孔を結晶成長の起点として半導体膜の溶融結晶化を行う場合において当該微細孔内に半導体膜を確実に堆積させることを可能とする技術を提供すること。【解決手段】本発明の半導体薄膜の製造方法は、基板(10)上に第1の薄膜(11)を形成する第1の薄膜形成工程と、第1の薄膜(11)上に当該第1の薄膜(11)と性質の異なる第2の薄膜(12)を形成する第2の薄膜形成工程と、第2の薄膜(12)を貫通して第1の薄膜(11)に至る微細孔(13)を形成する微細孔形成工程と、第2の薄膜(12)上よりも第1の薄膜(11)上において半導体膜が先行して成膜される条件を含んで第2の薄膜(12)上及び微細孔(13)内に半導体膜(14a,14b)を形成する半導体膜形成工程と、半導体膜(14a,14b)を溶融結晶化させ、微細孔(13)内を起点として結晶性半導体膜(18)を形成する溶融結晶化工程と、を含む【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上に第1の薄膜を形成する第1の薄膜形成工程と、
前記第1の薄膜上に当該第1の薄膜と性質の異なる第2の薄膜を形成する第2の薄膜形成工程と、
前記第2の薄膜を貫通して前記第1の薄膜に至る微細孔を形成する微細孔形成工程と、
前記第2の薄膜上よりも前記第1の薄膜上において半導体膜が先行して成膜される条件を含んで前記第2の薄膜上及び前記微細孔内に半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、
前記半導体膜を溶融結晶化させ、前記微細孔内を起点として結晶性半導体膜を形成する溶融結晶化工程と、を含む半導体薄膜の製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/20
, G02F1/1368
, H01L21/205
, H01L21/336
, H01L29/786
H01L21/20
, G02F1/1368
, H01L21/205
, H01L29/78 627G
, H01L29/78 626C
2H092KA05
, 2H092MA08
, 2H092MA30
, 2H092RA05
, 2H092RA10
, 5F045AA06
, 5F045AA08
, 5F045AC01
, 5F045AD09
, 5F045AE13
, 5F045AE15
, 5F045AE17
, 5F045AE19
, 5F045AE21
, 5F045AF07
, 5F045AF12
, 5F045BB19
, 5F045CA15
, 5F045DB02
, 5F052AA02
, 5F052BB07
, 5F052CA04
, 5F052DA02
, 5F052DB02
, 5F052DB03
, 5F052EA11
, 5F052EA12
, 5F052FA16
, 5F052JA01
, 5F110AA01
, 5F110AA16
, 5F110BB02
, 5F110CC02
, 5F110DD02
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD17
, 5F110DD21
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE44
, 5F110FF02
, 5F110FF30
, 5F110FF31
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG25
, 5F110GG45
, 5F110GG47
, 5F110HJ01
, 5F110HJ13
, 5F110HJ23
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL23
, 5F110NN04
, 5F110NN23
, 5F110NN35
, 5F110PP03
, 5F110PP04
, 5F110PP36
, 5F110QQ11
