薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：東田潔 , 山下雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-010051
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203656
出願日： 2004年01月19日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

【課題】薄膜トランジスタの半導体層として、多結晶シリコン膜を形成しようとする場合、熱CVDを用いると多結晶シリコン膜の成長速度が遅く、生産性が悪い。また、CAT-CVDを用いると、結晶が柱状に成長して膜質が悪くなり、所望の移動度が得られない。【解決手段】熱CVDまたはCAT-CVDにより多結晶シリコン膜を形成し、この多結晶シリコン膜上にプラズマCVDによりアモルファスシリコン膜を形成して、薄膜トランジスタの半導体層を得るようにする。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板表面に形成した絶縁膜上に半導体層を有する薄膜トランジスタであって、前記半導体層を、多結晶シリコン膜と、この多結晶シリコン膜上に形成したアモルファスシリコン膜とから構成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L29/786 , H01L21/205 , H01L21/336

FI (4件)：

H01L29/78 618E , H01L21/205 , H01L29/78 618A , H01L29/78 627B

Fターム (40件)：

5F045AA03 , 5F045AA08 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AD18 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AF07 , 5F045BB16 , 5F045CA15 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045HA24 , 5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110NN01 , 5F110NN24 , 5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-278686 出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (6件)

薄膜トランジスタ及びその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-233803 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
液晶表示装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-164223 出願人：田中栄
特開昭63-119576

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