特許

J-GLOBAL ID：200903048763060614

基板処理装置、基板処理方法および記録媒体

発明者： 大西 正
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (3件)： 萩原 康司 ,  金本 哲男 ,  亀谷 美明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-068127
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235309
出願日： 2007年03月16日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：

【課題】同一処理室内において、基板を急速に加熱、冷却できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】処理室41内において基板Wを処理する装置であって、処理室41内において基板Wを載置させる載置台45と、載置台45に載置された基板を温度調節する第1温度調節機構50と、処理室41内において載置台45から上方に基板Wを持ち上げる昇降機構60と、昇降機構60によって載置台45から上方に持ち上げられた基板Wを温度調節する第2温度調節機構72とを有し、第1温度調節機構50と第2温度調節機構72により、基板Wが互いに異なる温度に温度調節される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

処理室内において基板を処理する装置であって、 処理室内において基板を載置させる載置台と、前記載置台に載置された基板を温度調節する第1温度調節機構と、前記処理室内において前記載置台から上方に基板を持ち上げる昇降機構と、前記昇降機構によって前記載置台から上方に持ち上げられた基板を温度調節する第2温度調節機構とを有し、 前記第1温度調節機構と前記第2温度調節機構により、基板が互いに異なる温度に温度調節されることを特徴とする、基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/46

FI (4件)：

H01L21/302 201A ,  H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  C23C16/46

Fターム (34件)：

4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030BA29 ,  4K030BA48 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA12 ,  4K030KA23 ,  4K030LA12 ,  5F004AA14 ,  5F004BA19 ,  5F004BB05 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BC02 ,  5F004BC06 ,  5F004CA05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA20 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DB03 ,  5F004EA34 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AB05 ,  5F045AF03 ,  5F045DA69 ,  5F045EB15 ,  5F045HA03 ,  5F045HA25

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許出願公開第2004/0182417号明細書
  
• 米国特許出願公開第2004/0184792号明細書
  

審査官引用 (5件)

• 基板を処理する処理システムおよび方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-507204   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開平3-136320
  
• 真空処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-125219   出願人：テル・バリアン株式会社
• 特開平2-256235
  
• 半導体処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-280872   出願人：日本エー・エス・エム株式会社