特許

J-GLOBAL ID：200903028421353457

エピタキシャル基板及び半導体素子

発明者： 柴田 智彦 ,  田中 光浩 ,  坂井 正宏 ,  江川 孝志 ,  石川 博康
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社 ,  名古屋工業大学長
代理人 (1件)： 杉村 興作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-171345
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022577
出願日： 2002年06月12日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】III族窒化物からなる半導体層群を含む半導体素子からなるデバイスに対して十分なデバイス特性を付与する。【解決手段】所定の単結晶基材1上に少なくともAlを含むIII族窒化物からなる下地層2を形成するとともに、この下地層2上に形成された少なくともAlを含むIII族窒化物からなる第1の半導体層3及び第2の半導体層12を形成する。そして、第1の半導体層3及び第2の半導体層12からなる半導体層群14の、室温におけるシートキャリア濃度及び移動度をそれぞれ5×1012/cm2以上及び1300cm2/V・s以上に設定する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

所定の単結晶基材と、この単結晶基材上に形成された少なくともAlを含むIII族窒化物からなる下地層とを具えたエピタキシャル基板であって、このエピタキシャル基板上に少なくともAlを含むIII族窒化物からなる半導体層群を形成した場合において、前記半導体層群は室温において5×1012/cm2以上のシートキャリア濃度を示すとともに、1300cm2/V・s以上の移動度を示すことを特徴とする、エピタキシャル基板。

IPC (5件)：

H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/201 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

FI (3件)：

H01L29/80 H ,  H01L21/205 ,  H01L29/203

Fターム (29件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AD16 ,  5F045AE23 ,  5F045AE29 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 窒化物系III-V族化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-266117   出願人：シャープ株式会社
• 絶縁性窒化物層及びその形成方法、半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-241581   出願人：ソニー株式会社
• III族窒化物系化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-315193   出願人：豊田合成株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-192625   出願人：株式会社東芝
• 窒化物系III-V族化合物半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-054387   出願人：シャープ株式会社, 学校法人立命館
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-267299   出願人：日本碍子株式会社