特許
J-GLOBAL ID：200903035113621870

窒化物系III-V族化合物半導体装置

発明者：
寺口 信明

寺口 信明 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-266117
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076024
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 急峻な界面を有し、移動度などの特性に優れた窒化物系III-V化合物半導体装置を提供する。【解決手段】 半絶縁性SiC基板1の(0001)結晶面に、AlNエピタキシャルバッファ層2、第1の二元化合物半導体層であるキャリア濃度が1×1016cm-3のGaNチャネル層3、第2の二元化合物半導体層であるAlNバリア特性改善層4、三元混晶半導体層であるキャリア濃度が2×1017cm-3のAl0.2Ga0.8Nバリア層5がこの順に積層され、この上にソース電極6a、ドレイン電極6b、およびゲート電極7が形成される。第1の二元化合物半導体層であるGaNチャネル層3と三元混晶半導体層であるAlGaNバリア層5の間に第1の二元化合物半導体層よりもバンドギャップの大きい第2の二元化合物半導体層であるAlNヘテロ特性改善層4を介在させる。
請求項（抜粋）：
ヘテロ構造を有する窒化物系III-V族化合物半導体装置において、チャネル層を構成する第1の二元化合物半導体層とバリア層を構成する三元混晶半導体層との間に第2の二元化合物半導体層が介在されることを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/201
FI (2件)：
H01L 29/80 B ,  H01L 29/203
Fターム (13件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL09 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GQ03 ,  5F102GR04 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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