特許
J-GLOBAL ID:200903048941003859
圧電素子、インクジェットヘッド、及びこれらの製造方法、並びにインクジェット式記録装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (6件):
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 原田 智雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-357391
公開番号(公開出願番号):特開2005-119166
出願日: 2003年10月17日
公開日(公表日): 2005年05月12日
要約:
【課題】 Si基板のような安価な基板11を用いることにより、低コストで、しかも耐電圧特性が優れた高信頼性の圧電素子が得られるようにする。【解決手段】 基板11上に、チタン、アルミニウム、鉄、コバルト、ニッケル、マンガン、銅、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム及びこれらの酸化物の群から選ばれた少なくとも1種の添加物が添加された貴金属からなる第1の電極層14を設け、この第1の電極層14上に、(100)面又は(001)面に優先配向した立方晶系又は正方晶系のペロブスカイト型酸化物からなる配向制御層15を設ける。そして、この配向制御層15上に、(100)面に優先配向した正方晶系のペロブスカイト型酸化物からなりかつ厚み方向と垂直な方向に作用している残留応力が0ないし圧縮応力である圧電体層16を設ける。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板上に設けられた第1の電極層と、該第1の電極層上に設けられた配向制御層と、該配向制御層上に設けられた圧電体層と、該圧電体層上に設けられた第2の電極層とを備えた圧電素子であって、
上記第1の電極層は、チタン、アルミニウム、鉄、コバルト、ニッケル、マンガン、銅、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム及びこれらの酸化物の群から選ばれた少なくとも1種の添加物が添加された貴金属からなり、
上記配向制御層は、立方晶系又は正方晶系の(100)面又は(001)面に優先配向したペロブスカイト型酸化物からなり、
上記圧電体層は、正方晶系の(100)面に優先配向したペロブスカイト型酸化物からなっており、
上記圧電体層において厚み方向と垂直な方向に作用している残留応力が、0ないし圧縮応力であることを特徴とする圧電素子。
IPC (7件):
B41J2/045
, B41J2/055
, B41J2/16
, H01L41/09
, H01L41/18
, H01L41/187
, H01L41/22
FI (8件):
B41J3/04 103A
, B41J3/04 103H
, H01L41/08 L
, H01L41/18 101B
, H01L41/18 101D
, H01L41/18 101Z
, H01L41/22 Z
, H01L41/18 101A
Fターム (12件):
2C057AF93
, 2C057AG42
, 2C057AG44
, 2C057AG47
, 2C057AP02
, 2C057AP16
, 2C057AP31
, 2C057AP52
, 2C057AP53
, 2C057AQ02
, 2C057BA04
, 2C057BA14
引用特許: