特許
J-GLOBAL ID：200903048970649997
半導体素子の実装方法及びその半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-293686
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100943
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 生産性の高い半導体素子の実装方法及びその半導体装置を提供する。【解決手段】 複数の半導体素子1Aを形成したウェハ1の電極にバンプ3を形成し、ウェハとインターポーザ5間に絶縁性樹脂6を介して接するように仮圧着し、加熱加圧で樹脂を硬化しウェハとインターポーザを本圧着して、ウェハの電極とインターポーザの電極を接合させるとともに、ウェハのダイシングラインと一致して配置された溝2にウェハとインターポーザとの間からはみ出した樹脂が流れ込んで樹脂流動を均一化させ、その後、半導体素子毎に切り離す。
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子(1A)を形成したウェハ(1)の電極上にスタッドバンプ(3)をワイヤボンディングにより形成し、上記ウェハの上記複数の半導体素子とインターポーザ(5)間に絶縁性樹脂(6)を介して接するように仮圧着し、上記仮圧着よりも高い温度で加熱し、かつ、上記仮圧着よりも大きな圧力で加圧することにより、上記絶縁性樹脂を硬化して上記ウェハと上記インターポーザを本圧着して上記ウェハ上の上記複数の半導体素子の各電極と上記インターポーザの各電極(9)とを接合させて接合体(30)を形成し、その後、上記ウェハの上記半導体素子毎に上記接合体をダイシングにより切り離して個片の半導体装置(26)を製造する半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 23/12 501
, H01L 21/301
, H01L 21/60
, H01L 21/60 311
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L 23/12 501 P
, H01L 21/60 311 S
, H01L 21/92 604 J
, H01L 25/08 Z
, H01L 21/78 L
5F044KK01
, 5F044LL13
, 5F044LL15
, 5F044PP15
, 5F044PP17
, 5F044QQ09
