特許
J-GLOBAL ID:200903048972663008

埋め込まれた従動素子とセラミック基板を具えた高集積多層回路モジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 竹本 松司 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-246722
公開番号(公開出願番号):特開2002-198655
出願日: 2001年08月15日
公開日(公表日): 2002年07月12日
要約:
【要約】【課題】 複数のセラミック基板を用いて高整合多層回路モジュールを製造及び整合させる。【解決手段】 集積回路素子を回路モジュールの一層或いは二層の表層に取り付け、その多層構造を内部配線整合領域、基本従動素子整合領域及び高周波従動素子整合領域の三種類の整合領域に分ける。配線層を内部配線整合領域内に形成し集積回路を連接する。基本従動素子整合領域がコンデンサ、抵抗及びインダクタ層を含む。フィルタ、カプラ及び平衡非平衡抵抗変換器を高周波従動素子整合領域内に形成する。隔離接地面により素子を隔離して電磁の干渉を防止する。標準の入出力接点を底層表面に形成して回路モジュールをモジュール化素子となす。
請求項(抜粋):
多層セラミック基板と埋め込まれた従動素子を具えた高整合多層回路モジュールにおいて、複数の整合領域に区画されて少なくとも一つの内部配線整合領域と、少なくとも一つの基本従動素子整合領域と、少なくとも一つの高周波従動素子整合領域を含む、複数の基板層と金属層と、この回路モジュールの上層と底層表面中の少なくとも一層に取り付けられた、複数の回路素子と、を具え、該内部配線整合領域が、少なくとも一つの配線層を含み、この複数の回路素子間の回路配線とされ、該基本従動素子整合領域が少なくとも一つの基本従動素子層を含み、且つこの高周波従動素子整合領域が高周波従動素子を含むことを特徴とする、多層セラミック基板と埋め込まれた従動素子を具えた高整合多層回路モジュール。
IPC (5件):
H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/12 301 ,  H05K 1/02 ,  H05K 1/16
FI (8件):
H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 H ,  H01L 23/12 301 C ,  H05K 1/02 P ,  H05K 1/16 B ,  H05K 1/16 D ,  H01L 23/12 B ,  H01L 23/12 N
Fターム (40件):
4E351AA07 ,  4E351BB01 ,  4E351BB03 ,  4E351BB05 ,  4E351BB15 ,  4E351BB22 ,  4E351BB26 ,  4E351BB29 ,  4E351BB42 ,  4E351CC12 ,  4E351GG06 ,  5E338AA03 ,  5E338AA18 ,  5E338BB75 ,  5E338CC01 ,  5E338CC06 ,  5E338CD23 ,  5E338EE13 ,  5E346AA12 ,  5E346AA13 ,  5E346AA14 ,  5E346AA15 ,  5E346AA38 ,  5E346BB02 ,  5E346BB03 ,  5E346BB04 ,  5E346BB07 ,  5E346BB20 ,  5E346CC17 ,  5E346CC31 ,  5E346DD02 ,  5E346DD07 ,  5E346DD09 ,  5E346DD45 ,  5E346EE24 ,  5E346FF45 ,  5E346GG03 ,  5E346GG40 ,  5E346HH01 ,  5E346HH22
引用特許:
審査官引用 (3件)

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