特許
J-GLOBAL ID：200903048974179987
薄膜形成装置及び薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
秋山 敦
, 城田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-065763
公開番号（公開出願番号）：特開2005-256024
出願日： 2004年03月09日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】 安定したプラズマを高効率に発生させて成膜を行うことができる薄膜形成装置を提供する。【解決手段】 内部を真空に維持する真空容器11と、真空容器11に接続され真空容器11内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段80と、を備える薄膜形成装置としてのスパッタ装置1である。プラズマ発生手段80は、誘電体で形成された誘電体板83と、誘電体板83に隣接して設置されたアンテナ85a,85bと、アンテナ85a,85bを収容するアンテナ収容室80Aを誘電体板83とともに形成するケース体81と、アンテナ収容室80Aを真空状態に排気するための配管15a,真空ポンプ15とを有して構成されている。真空容器11の内部とアンテナ収容室80Aとが誘電体板83によって仕切られて独立した空間を形成している。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
内部を真空に維持する真空容器と、該真空容器に接続され前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、を備える薄膜形成装置であって、
前記プラズマ発生手段は、誘電体で形成された誘電体壁と、該誘電体壁に隣接して設置されたアンテナと、該アンテナを収容するアンテナ収容室を前記誘電体壁とともに形成する蓋体と、前記アンテナ収容室を真空状態に排気するための減圧手段とを有して構成され、
前記真空容器の内部と前記アンテナ収容室の内部とが前記誘電体壁によって仕切られて独立した空間を形成していることを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (5件)：
C23C14/34
, C23C14/58
, H01L21/205
, H01L21/285
, H01L21/31
C23C14/34 Z
, C23C14/58 Z
, H01L21/205
, H01L21/285 S
, H01L21/31 D
4K029BA43
, 4K029BA46
, 4K029BB02
, 4K029CA05
, 4K029DC35
, 4K029DC39
, 4K029GA02
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB17
, 4M104BB29
, 4M104BB30
, 4M104BB34
, 4M104BB36
, 4M104DD37
, 4M104DD39
, 4M104DD86
, 5F045AA19
, 5F045AB02
, 5F045AB31
, 5F045AB32
, 5F045DQ10
, 5F045EH11
