特許
J-GLOBAL ID：200903048996844518
半導体装置およびその作製方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-282565
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112001
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 簡易な製造工程によって、量産性が高く、且つ、信頼性及び再現性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】結晶構造を有する半導体層で形成されたボトムゲイト型の半導体装置の構成において、ソース/ドレイン領域を、第1の導電層(n+ 層)、それより高抵抗な第2の導電層(n- 層)及び真性または実質的に真性な半導体層(i層)からなる積層構造で構成する。この時、n- 層はLDD領域として機能し、i層は膜厚方向のオフセット領域として機能する。
請求項（抜粋）：
結晶構造を有する半導体層で構成されたソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を構成に含む半導体装置であって、前記ソース領域及びドレイン領域は、ゲイト絶縁膜に向かって少なくとも第1の導電層、当該第1の導電層よりも高抵抗な第2の導電層及び前記チャネル形成領域と同一導電型の半導体層からなる積層構造を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 616 U
, H01L 29/78 616 V
, H01L 29/78 617 A
, H01L 29/78 617 K
, H01L 29/78 618 F
, H01L 29/78 618 C
, H01L 29/78 627 G
