特許

J-GLOBAL ID：200903049001085438

半導体装置の内部電圧供給回路

発明者： 林 鐘 亨 ,  姜 尚 錫 ,  朱 在 勳 ,  崔 昌 鑄
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-067042
公開番号（公開出願番号）：特開平10-283786
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】 瞬間的に上昇した内部電圧を一定のレベルにクランプすることのできる内部電圧供給回路を提供する。【解決手段】 内部電圧を出力するための出力ノード1と、内部電圧と基準電圧とを比較し、比較信号を発生する比較回路20と、比較信号に応答して出力ノード1に電荷を供給する駆動回路40と、内部電圧が基準電圧より高いとき、基準電圧と同一になるまで出力ノードを放電させるクランプ回路60とを含む。

請求項（抜粋）：

内部電圧を出力するための出力ノードと、前記内部電圧と基準電圧とを比較し、比較信号を発生する比較回路と、前記比較信号に応答して前記出力ノードに電荷を供給する駆動回路と、前記内部電圧が前記基準電圧より高いとき、前記内部電圧が前記基準電圧と同一になるまで前記出力ノードを放電させるクランプ回路とを、含むことを特徴とする半導体装置の内部電圧供給回路。

IPC (5件)：

G11C 11/413 ,  G05F 3/24 ,  G11C 11/407 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

G11C 11/34 335 A ,  G05F 3/24 B ,  G11C 11/34 354 F ,  H01L 27/04 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 内部降圧回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-240903   出願人：日本電気株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-136994   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-196940   出願人：株式会社東芝