特許

J-GLOBAL ID：200903049001815916

半導体装置およびその製造方法

発明者： 田上 政由
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-186574
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015549
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】ワイヤボンディング中に剥離が生じにくく、生産性も良好な電極パッドを備えた半導体装置を提供すること。【解決手段】電極パッドを、銅膜16、拡散防止膜17、酸化防止金属膜18により構成する。また、銅膜16の下面と接続する銅系アンカー層13、15を設ける。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された凹部を有する絶縁膜と、該凹部に埋め込まれた電極パッドとを備える半導体装置であって、前記電極パッドは、前記凹部の内面を覆う銅系膜と、該銅系膜を覆う酸化防止金属膜とを含んでなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 602 H

Fターム (57件)：

5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH23 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033VV07 ,  5F033XX03 ,  5F033XX14 ,  5F033XX20 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F044EE06 ,  5F044EE08 ,  5F044EE12 ,  5F044QQ05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-003063   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体力学量センサの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-170740   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-151749   出願人：ソニー株式会社