特許

J-GLOBAL ID：200903049031148299

基板処理装置、及び半導体装置の製造方法

発明者： 小川 有人 ,  高澤 裕真 ,  柄澤 元
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (3件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-286871
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128031
出願日： 2002年09月30日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】一度に2枚の基板に対して、HSG形成等の加熱を伴う処理を施すにあたり、基板内、基板間、及びバッチ間における処理の均一性を向上する。【解決手段】ウエハを処理する処理室1と、処理室1内に処理用ガスを供給するガス供給口2と、処理室1内で2枚のウエハW1,W2を積層して支持する支持具3と、各ウエハW1,W2の平坦面に対向するよう設けられたヒータ4,5と、ウエハW1,W2間に配置され、処理用ガスによりコーティングされたプレート6とを備える基板処理装置を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板を処理する処理室と、 前記処理室内に処理用ガスを供給するガス供給口と、 前記処理室内で2枚の基板を並列に支持する支持具と、 前記各基板の平坦面に対向するよう設けられた加熱源と、 前記2枚の基板の間に配置され、前記処理用ガスによりコーティングされたプレートと を備えることを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/46

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/46

Fターム (19件)：

4K030AA06 ,  4K030BA30 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030KA24 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045BB03 ,  5F045BB18 ,  5F045CA05 ,  5F045DP04 ,  5F045DP11 ,  5F045EK06 ,  5F045EM09

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-077535   出願人：株式会社エフティーエル
• 半導体処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-366323   出願人：株式会社日立製作所, 国際電気株式会社
• 加熱装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-147949   出願人：国際電気株式会社
• 熱処理方法および熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-093955   出願人：国際電気株式会社
• 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-262175   出願人：株式会社日立国際電気