窒化シリコン膜の形成方法及び薄膜トランジスタ素子

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-098568
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289210
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】プラズマCVD法による窒化シリコン膜の形成に関して、成膜時におけるチャンバ内でのポリシランパーティクルの発生が少なく、かつ薄膜トランジスタに適用可能な良好な膜質を有する窒化シリコン膜を2000Å/min以上の高速成膜で形成する。【解決手段】モノシラン,アンモニア,窒素あるいは水素の混合ガスを原料ガスとして、50〜180Ps程度のガス圧力条件下において、30MHz〜100MHzのVHF帯の励起周波数を用いて成膜を行う。図5に示すように、基板ホルダーの面積をS(cm<SP>2</SP>)、モノシランの流量をF(SCCM)をした場合に、(S/F)<30となる大流量領域において、VHF放電を用いることにより、2000Å/min以上の高速成膜が実現できた。

請求項（抜粋）：

対をなす一方の電極である基板ホルダーに載置した半導体基板に、少なくともモノシランを含む原料ガスを用い、かつ対をなす電極に電圧を印加してプラズマを発生して、非晶質窒化シリコン膜を成膜するプラズマCVD法による窒化シリコン膜の形成方法であって、対をなす電極に印加する電圧の周波数を30MHzから100MHzの周波数帯域に設定し、かつ、成膜が行われる雰囲気のガス圧を50Paから180Paの範囲に設定し、さらに基板ホルダーの面積をS(cm<SP>2</SP>),モノシランの流量をF(SCCM)とした場合に、(S/F)<30を満たす条件に設定して、成膜を行うことを特徴とする窒化シリコン膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 , H01L 21/31 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/318 B , H01L 21/31 C , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 619 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-277761 出願人：国際電気株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-304063 出願人：旭硝子株式会社, 三菱電機株式会社
薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-332407 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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