特許

J-GLOBAL ID：200903049069420626

半導体ウェハの分割方法、半導体素子の製造方法、及び半導体ウェハ分割用マスク形成装置

発明者： 土師 宏 ,  有田 潔 ,  西中 輝明
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 河宮 治 ,  和田 充夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-225104
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049404
出願日： 2004年08月02日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

【課題】 半導体ウェハにおいて、それぞれの半導体素子の品質の低下を防止しながら、不良半導体素子を他の上記半導体素子から識別可能とするバッドマークの形成を行う。【解決手段】 複数の半導体素子が形成された半導体ウェハのマスク配置側表面において、上記それぞれの半導体素子を個片に分割するための分割線を画定するとともに、上記それぞれの半導体素子の中の不良半導体素子の表面の一部を露出させるようにマスクを配置し、その後、上記半導体ウェハの上記マスク配置側表面よりプラズマエッチングを施し、上記画定された分割線に沿って上記それぞれの半導体素子に分割するとともに、上記不良半導体素子の上記露出部分を除去して、当該除去部分を上記不良半導体素子識別用マークとして形成する。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子が形成された半導体ウェハのマスク配置側表面において、上記それぞれの半導体素子を個片に分割するための分割線を画定するとともに、上記それぞれの半導体素子の中の不良半導体素子の表面の一部を露出させるようにマスクを配置し、 その後、上記半導体ウェハの上記マスク配置側表面よりプラズマエッチングを施し、上記画定された分割線に沿って上記それぞれの半導体素子に分割するとともに、上記不良半導体素子の上記露出部分を除去して、当該除去部分を上記不良半導体素子識別用マークとして形成することを特徴とする半導体ウェハの分割方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/02

FI (2件)：

H01L21/78 S ,  H01L21/02 A

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-290158   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (4件)

• 特開平2-305450
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-074612   出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社
• 特開昭63-261843
  
• 半導体素子の分離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-150691   出願人：株式会社堀場製作所