特許
J-GLOBAL ID:200903049069484136

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 梶原 辰也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-309506
公開番号(公開出願番号):特開2004-146577
出願日: 2002年10月24日
公開日(公表日): 2004年05月20日
要約:
【課題】半導体ペレットの損傷およびレジンの未充填を防止する。【解決手段】複数のソース用電極パッドが形成された平板形状の半導体ペレット10と、複数のソース用電極パッドに跨がる大きさのソース用接続部片36aを有するインナリード36と、インナリード36に接続されたアウタリード38と、半導体ペレット10の下面に接続されたヘッダ28と、半導体ペレット10、インナリード36、ヘッダ28の一部を樹脂封止した樹脂封止体29とを有し、ソース用電極パッドとソース用接続部片36aとがバンプ23から形成された接続部26でフリップチップ接続されているMOSFET1において、ソース用接続部片36aには厚さ方向に貫通したスリット36bが開設されている。【効果】熱応力をスリットで吸収できるので、半導体ペレットの損傷を防止でき、レジンをスリットで下側に流し込めるのでレジンの未充填を防止できる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
複数の電極パッドが第一主面に形成された平板形状の半導体ペレットと、前記複数の電極パッドに跨がる大きさに形成されたインナリードと、前記インナリードに接続されたアウタリードと、前記半導体ペレットおよび前記インナリードを樹脂封止した樹脂封止体とを有し、前記半導体ペレットの前記電極パッドと前記インナリードとが突起状端子から形成された接続部によって機械的および電気的に接続されている半導体装置において、 前記インナリードには厚さ方向に貫通したスリットが開設されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28
FI (4件):
H01L23/48 P ,  H01L23/48 G ,  H01L21/60 311Q ,  H01L23/28 A
Fターム (6件):
4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109DB03 ,  4M109FA02 ,  5F044LL15
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-221113   出願人:株式会社日立製作所
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-372510   出願人:株式会社日立製作所
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-238934   出願人:株式会社日立製作所
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