特許
J-GLOBAL ID:200903066780169776
半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-019431
公開番号(公開出願番号):特開2000-223634
出願日: 1999年01月28日
公開日(公表日): 2000年08月11日
要約:
【要約】【課題】半導体パッケージの実装抵抗を低減する。【解決手段】第1の金属部材(リード端子5,6)が、第1の貴金属を含む第1の金属体(Auバンプ8)を介して、半導体素子(半導体チップ1)の第1の電極(ソース電極2)と接続され、かつ、第2の金属部材(ダイ端子7)が、第2の貴金属を含む第2の金属体(貴金属メッキ14及びAgメッキ15)を介して、第2の電極(裏面電極4)と接続される。【効果】1mΩ以下というような大幅な実装抵抗低減が可能になる。
請求項(抜粋):
半導体基板と、前記半導体基板の表面に設けられる第1の電極と、前記半導体基板の裏面に設けられる第2の電極とを有する半導体素子と、前記第1の電極に接続される第1の金属部材と、前記第2の電極に接続される第2の金属部材と、を備え、前記第1の電極と前記第1の金属部材とが第1の貴金属を含む第1の金属体を介して接続され、前記第2の電極と前記第2の金属部材とが第2の貴金属を含む第2の金属体を介して接続されることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 23/48 F
, H01L 23/36
Fターム (6件):
5F036AA01
, 5F036BB08
, 5F036BB21
, 5F036BC05
, 5F036BD01
, 5F036BE01
引用特許:
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