特許
J-GLOBAL ID：200903049095805960

トレンチ側壁からの横方向成長による窒化ガリウム半導体層の製造

発明者：
ゼレヴァ,ツヴェタンカ

ゼレヴァ,ツヴェタンカ について

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トムソン,ダレン・ビー

トムソン,ダレン・ビー について

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スミス,スコット・エイ

スミス,スコット・エイ について

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リンシカム,ケヴィン・ジェイ

リンシカム,ケヴィン・ジェイ について

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ゲールケ,トーマス

ゲールケ,トーマス について

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デイヴィス,ロバート・エフ

デイヴィス,ロバート・エフ について


出願人/特許権者：
ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ

ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ について


代理人 (1件)： 奥山 尚一 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-553988
公開番号（公開出願番号）：特表2002-518826
出願日： 1999年06月09日
公開日（公表日）： 2002年06月25日
要約：
【要約】基礎的窒化ガリウム層(106)の側壁(105)を、この基礎的窒化ガリウム層にあるトレンチ(107)内に横方向に成長させて、これにより横方向の窒化ガリウム半導体層(108a)を形成する。次に、マイクロ電子デバイスをこの横方向の窒化ガリウム層内に形成する。転位欠陥は側壁から基礎的窒化ガリウム層にあるトレンチ内にほとんど伝播しないので、横方向の窒化ガリウム半導体層には比較的欠陥がない。さらに、この側壁の成長は、横方向の窒化ガリウム層の成長の間に、基礎的窒化ガリウム層の部分をマスクする必要なしに行うことができる。横方向の窒化ガリウム半導体層の欠陥密度は、横方向の窒化ガリウム層から第2の窒化ガリウム半導体層を成長させることによって、さらに減少させることができる。
請求項（抜粋）：
基礎的窒化ガリウム層の側壁を前記基礎的窒化ガリウム層にあるトレンチ内に横方向に成長させて、これにより横方向の窒化ガリウム半導体層を形成するステップを含んでなる窒化ガリウム半導体層の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/20
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/20
Fターム (20件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA06 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE23 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F045DB09 ,  5F045HA02 ,  5F052KA01
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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