パターン形成方法及び洗浄液

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：西川繁明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-273834
公開番号（公開出願番号）：特開2001-100435
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】フォトリソグラフィ技術を利用したパターン形成方法において、レジスト溶液の付着やパーティクルの発生による装置の汚染や製品の品質と歩留の低下を抑制するパターン形成方法、並びに該パターン形成方法に用いる洗浄液を提供すること。【解決手段】基板上にレジスト溶液を塗布し、乾燥した後、形成されたレジスト膜をパターン状に露光し、次いで、現像する工程を含むパターン形成方法において、基板上にレジスト溶液を塗布した後、乾燥する前に、基板表面の端部に過剰に存在するレジスト溶液(a) 、レジスト溶液の塗布時に基板側面から裏面に回り込んで付着したレジスト溶液(b) 、または、これらのレジスト溶液(a) 及び(b) の両方を、プロピレングリコールモノメチルエーテル60〜95重量%と酢酸ブチル5〜40重量%との混合物からなる洗浄液を用いて洗浄し除去する工程を配置することを特徴とするパターン形成方法。プロピレングリコールモノメチルエーテル60〜95重量%と酢酸ブチル5〜40重量%との混合物からなる洗浄液。

請求項（抜粋）：

基板上にレジスト溶液を塗布し、乾燥した後、形成されたレジスト膜をパターン状に露光し、次いで、現像する工程を含むパターン形成方法において、基板上にレジスト溶液を塗布した後、乾燥する前に、基板表面の端部に過剰に存在するレジスト溶液(a) 、レジスト溶液の塗布時に基板側面から裏面に回り込んで付着したレジスト溶液(b) 、または、これらのレジスト溶液(a) 及び(b) の両方を、プロピレングリコールモノメチルエーテル60〜95重量%と酢酸ブチル5〜40重量%との混合物からなる洗浄液を用いて洗浄し除去する工程を配置することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/42 , G03F 7/38 501 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/42 , G03F 7/38 501 , H01L 21/30 565 , H01L 21/30 572 B

Fターム (5件)：

2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096CA14 , 2H096DA04 , 5F046MA02

引用特許：

審査官引用 (4件)

レジスト洗浄除去用溶剤及びそれを使用する電子部品製造用基材の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-157248 出願人：東京応化工業株式会社
特開平2-253265
薄膜除去方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-256069 出願人：東京エレクトロン株式会社

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