特許
J-GLOBAL ID：200903049126846767

エッチング方法およびエッチング装置

発明者：
宮本 秀信

宮本 秀信 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-304109
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145118
出願日： 1997年11月06日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 カーボン電極からプラズマ中へ放出されるカーボンの量は、メタル配線エッチング時のプラズマ状態により決まり、下部電極に印加するRFパワーが大きい時に多くのカーボンが供給され、側壁保護膜が多く形成されすぎ、メタル配線がマスク寸法より大きくなる問題がある。【解決手段】 真空容器内に複数のプロセスガスを導入し、各プロセスガスの圧力を制御し、真空反応容器内の下部に位置し試料が載置される下部電極102にチューニング機構を介して高周波電圧を印加する高周波電源104a,104bを有するプラズマ処理装置において、真空反応容器内部に設けられたカーボン電極109と、この電極にチューニング機構を介して高周波電圧を印加する機構と、プラズマ中の発光スペクトル強度変化をモニターする機構と、該発光スペクトルモニターに連動して前記カーボン電極へ印加する高周波電圧を制御するためのコンピューター108とを設けた。
請求項（抜粋）：
真空容器内に複数のプロセスガスを導入する手段と、各プロセスガスの圧力を制御する手段と、真空反応容器内の下部に位置し試料が載置される下部電極と、この下部電極にチューニング機構を介して高周波電圧を印加する高周波電源を有するプラズマ処理装置において、前記真空反応容器内部に設けられたカーボン電極と、この電極にチューニング機構を介して高周波電圧を印加する機構と、プラズマ中の発光スペクトル強度変化をモニターする機構と、該発光スペクトルモニターに連動して前記カーボン電極へ印加する高周波電圧を制御するためのコンピューターとを備えていことを特徴とするエッチング装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
FI (2件)：
H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 F
引用特許：
審査官引用 (4件)
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