特許
J-GLOBAL ID：200903049177088964
エッチング方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-241808
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068451
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】シリコンカーバイド基板上に微細パターンを比較的安全に且つ高精度に形成することが可能なエッチング方法を提供すること。【解決手段】本発明のエッチング方法は、シリコンカーバイド基板とサファイアガラス窓部材との間にフッ化水素酸を含有する薄液層を介在させ、前記サファイアガラス窓部材側から前記シリコンカーバイド基板に向けてXe2*エキシマランプ光とArFレーザー光とを照射することにより前記シリコンカーバイド基板の表面の少なくとも一部を除去することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
シリコンカーバイド基板とサファイアガラス窓部材との間にフッ化水素酸を含有する薄液層を介在させ、前記サファイアガラス窓部材側から前記シリコンカーバイド基板に向けてXe2*エキシマランプ光とArFレーザー光とを照射することにより前記シリコンカーバイド基板の表面の少なくとも一部を除去することを特徴とするエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/306 B
, C04B 41/91 B
5F043AA05
, 5F043AA37
, 5F043BB12
, 5F043BB25
, 5F043DD08
, 5F043DD30
