特許
J-GLOBAL ID：200903000327459622

SiCの除去法

発明者：
セルジェ・ファンヘーレメールスフ

セルジェ・ファンヘーレメールスフ について

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ヘルマン・メイネン

ヘルマン・メイネン について

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フィリップ・デイビッド・デムボウスキー

フィリップ・デイビッド・デムボウスキー について


出願人/特許権者：
アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ

アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ について

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ダウ・コーニング・コーポレイション

ダウ・コーニング・コーポレイション について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-616055
公開番号（公開出願番号）：特表2002-543610
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2002年12月17日
要約：
【要約】この発明は基板に形成されたカーバイドシリコン層の少なくとも露出された部分を除去するための方法に関し、前記カーバイドシリコン層を酸素含有プラズマに曝すことにより、前記カーバイドシリコン層の前記少なくとも露出された部分を酸化シリコン層に変換し、そして前記基板から前記酸化シリコン層を除去するステップからなる。この発明は、前記方法を実行した集積回路に関する。
請求項（抜粋）：
基板に形成されたカーバイドシリコン層の少なくとも露出された部分を除去するための方法であり、 前記カーバイドシリコン層を酸素含有プラズマに曝すことにより、前記カーバイドシリコン層の前記少なくとも露出された部分を酸化シリコン層に変換し、そして 前記基板から前記酸化シリコン層を除去するステップからなる方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/306
FI (4件)：
H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/306 B ,  H01L 21/306 D
Fターム (37件)：
5F033GG00 ,  5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ05 ,  5F033JJ06 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ30 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F033XX28 ,  5F043AA31 ,  5F043BB22 ,  5F043DD02 ,  5F043GG02
引用特許：
審査官引用 (8件)
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