特許

J-GLOBAL ID：200903049188608722

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  納 光明
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-326611
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134788
出願日： 2003年09月18日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【課題】 本発明は、配線抵抗に起因する電圧降下の影響を抑え、表示装置の画質を均質なものとすることを目的とする。また、駆動回路部と入出力端子とを電気的に接続する配線の遅延を抑え、駆動回路部の動作速度を向上させることを目的とする。【解決手段】 本発明では、半導体装置に用いる配線として、配線抵抗の低抵抗化を実現する銅を含む配線を微細化して用いるとともに、銅の拡散を防ぐバリア性の導電膜(以下、バリア性導電膜)を薄膜トランジスタ(以下、TFTと表記する)との間に設けることによりTFTの半導体層に銅が拡散することなく銅を含む配線を形成することを特徴とする。なお、銅を含む配線は、銅を主成分とする導電膜と、銅の拡散に対するバリア性を有するバリア性導電膜との積層膜からなる配線であり、銅を主成分とする導電膜の線幅を細くするための微細加工することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

導電膜を積層してなる配線を有する半導体装置の作製方法であって、 絶縁表面上にバリア性を有する第1の導電膜を形成し、 前記第1の導電膜をエッチング法により所望の形状とし、 前記第1の導電膜上に銅を主成分とする第2の導電膜をマスクの開口部を介して形成し、さらにドライエッチング法により前記第2の導電膜の幅を細くすることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14

FI (7件)：

H01L21/88 R ,  H01L21/28 301R ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 612C ,  H01L21/88 M

Fターム (100件)：

3K007AB05 ,  3K007AB17 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB34 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104FF06 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG15 ,  4M104HH16 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH36 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033MM17 ,  5F033NN32 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR07 ,  5F033RR08 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX10 ,  5F033XX27 ,  5F033XX28 ,  5F110AA03 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110FF04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL14 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110HM19 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ04

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置、半導体装置の製造方法、および半導体装置の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-012699   出願人：松下電子工業株式会社
• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-379725   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (6件)

• 金属膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-218545   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体素子の金属配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-071657   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平3-195087
  
• 特開平4-348035
  
• 多層配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-229106   出願人：三洋電機株式会社
• パターニング方法及び製膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-133964   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社